¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷ KEC(´ëÇ¥ÀÌ»ç Ȳâ¼·)°¡ »ï¼ºµ¿ COEX¿¡¼ 24ÀϺÎÅÍ ¿¸®°í ÀÖ´Â 2018 Çѱ¹ÀüÀÚÀü(KES)¿¡ Âü°¡Çß´Ù.
|
Çѱ¹ÀüÀÚÀüÀº Çѱ¹ÀüÀÚ»ê¾÷´ëÀüÀÇ ÀÏȯÀ¸·Î ¹ÝµµÃ¼´ëÀü(SEDEX)°ú ±¹Á¦µð½ºÇ÷¹ÀÌÀü½Ãȸ(IMID)¿Í ÇÔ²² °³ÃֵǴ Çà»ç·Î ±¹³»¿Ü 500¿©°³ ¾÷ü°¡ Âü°¡ÇÏ°í 7¸¸¿©¸íÀÌ Âü°üÇÏ´Â ¸í½Ç°øÈ÷ ±¹³» ´ëÇ¥ IT Àü½Ãȸ Áß ÇϳªÀÌ´Ù.
KEC´Â À̹ø Çà»ç¿¡¼ ÀüÀå¿ë ºÎÇ°°ú ÇÔ²² Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ Á¦Ç°±ºÀ» ÁýÁßÀûÀ¸·Î ¼Ò°³ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ƯÈ÷ ½Å±â¼úÀÌ Àû¿ëµÈ ½Å»óÇ°ÀÎ SGT MOSFET, Low EMI Type SJ MOSFET, RC IGBT, SiC SBD/MOSTET µîÀ» ÁßÁ¡ÀûÀ¸·Î ¼Ò°³ÇÏ°í ÀÖ´Ù.
À̹ø Àü½ÃµÈ ½Å»óÇ°µéÀº ±âÁ¸ Á¦Ç°´ëºñ ¼Õ½ÇÀ» ÁÙÀÌ°í ½Å·Ú¼ºÀÌ ³ôÀº Á¦Ç°µé·Î À̸¦ ÅëÇØ Áö³ 50³â°£ ¼Ò½ÅÈ£ ¹ÝµµÃ¼¸¦ ¼±µµÇØ ¿Â KEC´Â ÇâÈÄ 50³âÀ» Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Àü¹®È¸»ç·Î °Åµì ³ª±â À§ÇÑ Áغñ¸¦ ÇÏ°í ÀÖ´Ù°í ¹àÇû´Ù. ¶ÇÇÑ ½ÃÀå¿¡¼ÀÇ KECÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú·Â°ú ÇÔ²² °íºÎ°¡°¡Ä¡ Áß½ÉÀÇ ±Û·Î¹ú ¸¶ÄÉÆà Ȱµ¿À» ´õ¿í °ÈÇÒ °ÍÀ̸ç, Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ȸ»ç·Î¼ÀÇ ÀÔÁöµµ »õ·Ó°Ô ´ÙÁú °èȹÀ̶ó°í ¹àÇû´Ù.
¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷ KEC´Â 1969³â â¾÷ ÀÌ·¡ 49³â°£ ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡ ¿ª·®À» ÁýÁßÇØ¿Â ÀüÀÚºÎÇ° Àü¹® ±â¾÷À¸·Î ±¹³»¿Ü À¯¼öÀÇ ÀüÀÚ ¾÷üµé·ÎºÎÅÍ ±× Ç°Áú°ú ±â¼ú·ÂÀ» ÀÎÁ¤¹Þ°í ÀÖ´Ù. KEC´Â 4Â÷ »ê¾÷ Çõ¸íÀÇ ¹°°á¿¡ ¹ß¸ÂÃß¾î ½º¸¶Æ®Æù, °¡Àü µîÀÇ ÄÁ½´¸Ó ½ÃÀå¿¡¼ Â÷·®¿ë, »ê¾÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷À¸·ÎÀÇ º¯½ÅÀ» ¹ß ºü¸£°Ô ÁøÇàÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ±× ÀÔÁö¸¦ ³ÐÇô°¡°í ÀÖ´Ù.
(»çÁø:KEC)